磁控溅射是一个磁控运行模式的二极溅射。它与二~四极溅射的主要不同点：一是，在溅射的阴极靶后面设置了永久磁钢或电磁铁。在靶面上产生水平重量的磁场或垂直重量的磁场(例如对向靶)，由气体放电产生的电子被束缚在靶面四周的等离子区内的特定轨道内运转；受电场力和磁场力的复合作用，沿肯定的跑道作旋轮转圈。靶面磁场对荷电粒子具有约束作用，磁场愈强束缚的愈紧。由于电磁场对电子的束缚和加速，电子在到达基片和阳极前，其运动的路径也大为延长，使局部Ar气的碰撞电离几率大大增加，氩离子Ar+在电场作用下加速，轰击作为阴极的靶材。把靶材外表的分子、原子及离子及电子等溅射出来，提高了靶材的飞溅脱离率。被溅射出来的粒子带有肯定的动能，沿着肯定的方向射向基体，最终沉积在基体上成膜。经过屡次碰撞后电子的能量渐渐降低,摆脱磁力线的束缚,最终落在基片、真空室内壁及靶电源阳极上。
工作气体电离几率的增加和靶材离化率的提高，使真空气体放电时内阻减小，故磁控靶发生溅射沉积时的工作电压较低(多数在4-600V之间)，有的工作电压略高(例如700V)，有的工作电压较低(例如300V左右)。磁控溅射发生时，其溅射工作电压主要降落在磁控靶的阴极位降区上。
由于磁控溅射沉积的膜层均匀、致密、针孔少，纯度高，附着力强，可以在低温、低损伤的条件下实现高速沉积各种材料薄膜，已经成为当今真空镀膜中的一种成熟技术与工业化的生产方式。磁控溅射技术在科学争论与各行业工业化生产中得到了快速进展和广泛应用。
总之，磁控溅射技术就是利用电磁场来掌握真空腔体内气体“特别辉光放电”中离子、电子的运动轨迹及分布状况的溅射镀膜的工艺过程。
其次，磁控靶面具有肯定的水平(或等效水平)磁场强度B(大约10mT~100mT)，典型值为30~50mT，最低也要到达10~20mT(100~200高斯)。
第三，真空腔体内，具有与磁场正交(或等效正交)的电场V，典型值500~700V。
引和加速作用，是离子镀与其它镀膜类型的一个主要区分。蒸发镀时基体和工件上加有负偏压就是蒸发离子镀;多弧镀时基体和工件上加有负偏压就是多弧离子镀;磁控溅射时基体和工件上加有负偏压就是磁控溅射离子镀，这是磁控溅射离子镀技术的一个重要特点。
磁控溅射离子镀是把磁控溅射和离子镀结合起来的技术。在同一个真空腔体内既可实现氩离子对磁控靶材的稳定溅射，又实现了高能靶材离子在基片负偏压作用下到达基片进展轰击、溅射、注入及沉积作用过程。整个镀膜过程都存在离子对基片和工件外表的轰击，可有效去除基片和工件外表的气体和污物;使成膜过程中，膜层外表始终保持清洁状态。
磁控溅射离子镀可以在膜-基界面上形成明显的混合过渡层(伪集中层)，提高膜层附着强度；可以使膜层与工件形成金属间化合物和固熔体，实现材料外表合金化，甚至消灭的晶相构造。
磁控溅射离子镀形成膜层的膜基结合力好、膜层的绕镀性好、膜层组织可控参数多、膜层粒子总体能量高，简洁进展反响沉积，可以在较低温度下获得化合物膜层。
偏置电压的类别：依据磁控溅射基片即工件偏置电压的不同作用，可分为直流负偏压、脉冲负偏压、沟通偏压、零偏压与悬浮偏压五个类别。
在基片上加负偏压后，基-阳极间可产生更大的电场力，可使等离子体中的正离子获得更大的能量和加速度轰击基片和工件；可对从靶材外表被溅射出来的原子或分子团等带电粒子进展某种程度的导向和沉积，绕镀性好；在基片和工件上施加不同的负偏压可以消退基片和工件膜层外表在不同的真空度条件下形成的锥状晶和拄状晶；在工件上施加沟通偏压，可以中和绝缘膜层上积存的正电荷，削减和消退工件外表打弧；在工件上施加脉冲偏压，因其占空比可连续调整，可以在肯定程度上调整工件外表温升。
基片电位直接影响入射的电子流或离子流。基片有目的地选择与施加不同的偏压、选择适宜的幅值或“占空比”、使其按电的极性接收电子或正离子，不仅可以净化基片，增加薄膜附着力，而且还可以转变薄膜的结晶构造。基片选用和施加何种偏置电压对溅射、沉积及镀膜的工艺过程和薄膜质量可以产生严峻影响。假设偏压的类别和参数(电流、电压与占空比)选择适宜，膜层的品质和性能可以大为改善。
在基片上加直流负偏压，在基-阳极间可产生更大的电场力，使等离子体中的正离子获得更大的能量和加速度轰击基片和工件；另外，还可以对从靶材外表被溅射出来的原子或分子团等带电离子进展某种程度的导向和沉积。由于直流负偏压连续无中断，故对基片有肯定的加热升温作用。
在基片上加中频脉冲直流负偏压可以转变基片与工件沉积离子束流大小;可以削减基片与工件外表打弧，优化膜层构造，提高膜层附着力;由于占空比可连续调整，可以在肯定程度上调整或转变工件外表膜层的温度和加热时间;加中频脉冲负偏压还可以提高各个单脉冲的幅值，提高工件反溅射清洗和镀膜的效果。加中频脉冲负偏压有利于降低等离子体的内阻，使工作气体离化几率有肯定程度的提高。另外，通过转变中频脉冲直流负偏压数值和占空比大小可以对反响磁控溅射化合物薄膜的颜色及颜色深浅产生影响。
沟通偏压分为中频对称双极脉冲偏压、非对称双极脉冲偏压和射频偏置电压几种;因正弦波不存在占空比可调的问题，故正弦波中频偏压与双极矩形脉冲偏压相比优势不明显，实际使用较少。在工件上施加沟通偏压，偏压正负极性来回变换互倒，可以中和绝缘膜层上积存的正电荷，削减和消退工件外表打弧；由于占空比连续可调，可以在肯定程度上调整和降低工件外表膜层的温升；特别适合于溅射沉积介质膜层和高品质膜层。
假设工件和基体接射频偏置电压，13.56MHZ的高频沟通偏压可将工作气体的离花率提高到一个比较高的水平，最终导致靶材离化率的上升和溅射沉积速率的提高;工件和基体接射频偏置电压，可以使溅射沉积膜层光华致密。但是，假设射频偏置电压过大，轰击靶材离子能量过大，简洁造成膜层较大的内应力，导致薄膜的开裂和脱落。
依据镀膜不同工艺需要，工件和基体可接负极性的直流偏置电压和脉冲直流偏置电压，也可接沟通偏置电压(双极脉冲和射频);既可接零电位，也可以悬浮不接(这时基片处于等离子体中自感应偏压值为负十几伏)。这里需要留意的是两点：第一，零偏置电压，不是没有偏压，不是无的概念；其次，基片悬浮不接任何偏置电压，既不是无偏置电压的概念，又不是零偏置电压的概念。
一般允许耐受温度较低的工件在磁控溅射镀膜时，为了防止工件变形，可以选用“零偏置电压”、“悬浮偏置电压”或选用小占空比低幅值偏置电压。
当靶—基距较大，基片位于距靶面较远的弱等离子区内。其特点是：最初偏流是随负偏压而上升，当负偏压上升到肯定程度以后，偏流根本上饱和，处于恒流状态，称为恒流型偏压。
“靶-基距”较小，基片位于距靶面较近的强等离子区内;偏流为受正电荷空间分布限制的离子电流。其特点是：偏流始终随负偏压的上升而上升。当负偏压上升到肯定程度，例如200多伏以后，根本处于恒稳状态，称为恒压型偏压(偏压具体数值与设备的真空条件有关)。由于“靶-基距”较小，造成基片四周有较高的电子密度，撞击加热基片和工件，致使镀件外表膜层的温度较高。
将真空金属腔体外壳接地同时接偏压电源输出正极，将基片和工件接偏压电源输出负极，当偏压电源输出的负偏压值足够高，到达的高能离子会将基片和工件外表的原子溅射下来，这种将基材原子溅射下来的过程称为“反溅射”。反溅射可以在镀件外表形成“伪集中层”。可以去除基片和工件外表的氧化层、加工毛刺、油渍和污物，故又称为基片和工件的“反溅清洗”。
基片和工件的“反溅清洗”可以选用500V~1KV左右的直流或单极脉冲电压;反溅完毕，应当将电压改为正常溅射工艺值，到达低温磁控溅射的要求。
除用基片正偏压来轰击清洗真空腔体内的接地构件外，正常溅射镀膜时基片和工件应当避开使用正的偏置电压。
由于基片需要加偏压，一般承受导电金属材料制成。假设待镀膜的工件是导电材料，只要与基片上的偏压能够连接导电就行了，对基片的机械几何外形无特别要求。
假设待镀膜的工件是玻璃、陶瓷等不导电的绝缘材料，基片架的机械几何外形设计，除了需考虑导电和悬挂、固定工件外，还应考虑如何发挥偏压对金属离子的某种吸引导向作用，兼顾偏压对绝缘材料工件外表薄膜均匀性的影响。
为了兼顾工件外表薄膜的均匀性和多工件镀膜可以一次完成，通常整个基片架设计成旋转式(公转)，各圆拄
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